Совсем иной механизм для объяснения инжекции электронов из истока в CdS был предложен в работе [б]. Пусть некоторая часть атомов тех металлов, которые, как показывает опыт, обеспечивают ток через CdS (индий, галлий, алюминий), диффундирует в кристалл на небольшую глубину и образует вблизи поверхности слой м+ с высокой проводимостью. Большая концентрация доноров приведет к тому, что уровень Ферми в этом узком приповерхностном слое будет расположен очень близко к дну зоны проводимости кристалла и, следовательно, выше уровня Ферми в металле. Электроны с донорных уровней перейдут в металл, сообщив его поверхности отрицательный заряд и оставив положительно заряженный слой вблизи поверхности кристалла. Так как глубина диффузии, по-видимому, невелика, а плотность доноров большая, то на поверхности раздела образуется очень узкий потенциальный барьер, сквозь который электроны металлического слоя могут осуществлять туннельный переход в зону проводимости кристалла, и вблизи внутренней поверхности последнего образуется облачко электронного пространственного заряда (рис. 9). Некоторые специалисты не допускают существования туннельного эффекта, главным образом потому, что считают невозможной диффузию индия, галлия или алюминия в кристалл.
Имеется уже много работ, показывающих, что физика инжекции из истока в кристалл все еще недостаточно ясна; возможно даже, что одновременно действует несколько механизмов инжекции, что особенно неблагоприятно с точки зрения надежности. Поэтому представляется рискованным организовать массовое производство напыленных тонкопленочных транзисторов до тех пор, пока разработчики не будут полностью уверены, что они — хозяева положения в области инжекции.