Чтобы изучить физику проводимости канала, вернем ему его первоначальную, форму (рис. 5). Критерием правильности любой теории тонкопленочного триода является ее способность предсказать форму вольтамперных характеристик. Структура, используемая в последующих рассуждениях, показана на рис. 10. Эта структура, заимствованная из статьи [7], пригодна для описания всех полевых транзисторов с изолированным затвором и, таким образом, охватывает как класс МОП-транзисторов, так и класс напыленных тонкопленочных транзисторов. Электрод истока соответствует катоду в вакуумном диоде, а электрод стока — аноду.
Как-и в вакуумном эквиваленте, между истоком и стоком существует отрицательный пространственный заряд, обусловленный электронами, инжектированными в кристалл с помощью одного из описанных ранее механизмов. Ток стока образуется потоком основных носителей (в данном случае электронов), которые двигаются из области пространственного заряда вблизи истока под действием электрического поля EVi обусловленного напряжением f/c_w. Потенциал