В напыленных пленках обычно имеются «застывшие» механические напряжения, которые играют роль дефектов или ловушек. Поэтому электрические свойства таких пленок меняются со временем независимо от того, находятся ли они под током. Термоциклирование, по-видимому, должно влиять на концентрацию и расположение ловушек. Однако наибольшие усилия следует направить на то, чтобы контролировать механические напряжения в проводящей пленке и снижать плотность тех ловушек (особенно глубоких), которые обусловлены дефектами поверхности. Уже имеется некоторый прогресс в случае кремниевых каналов, в которых концентрацию поверхностных состояний удалось значительно понизить, наращивая тонкую изолирующую пленку двуокиси кремния со структурой, соответствующей исходному кристаллу кремния.
Так как тонкопленочные активные элементы работают в режиме ограничения пространственным зарядом, то небольшие вариации уровня инжекции электронов из истока сглаживаются. Но если механизм инжекции смешанный, как это может быть в случае очень тонких пленок, то возможен значительный разброс по току насыщения у экземпляров из одной и той же партии. Вот почему ранее было уделено особое внимание вопросу о механизме инжекции в случае тонкопленочных полевых транзисторов.
Постоянное напряжение на затворе может вызвать эффект «старения» и привести к изменению характеристик прибора. При длительном существовании высокой напряженности поля в изолирующей пленке, толщина которой может составлять всего 1/20 мку медленная миграция ионов создает в этой пленке противодействующее внутреннее поле. Тогда при тех же напряжениях на затворе и стоке будет протекать меньший ток стока. Поэтому рекомендуется использовать полевые транзисторы при низких напряжениях на затворе.
Эффективная подвижность электронов может увеличиваться с ростом температуры из-за рассеяния на дефектах; кроме того, параметр толщины канала изменяется как У Т. Поэтому в тонкопленочных полевых транзисторах возможен положительный температурный коэффициент крутизны, что, как и в обычных транзисторах, приводит к положительной тепловой обратной связи в процессе саморазогрева. Улучшение контроля поверхностных дефектов снижает положительный температурный коэффициент.