Усовершенствование технологии напыленных пленок дает надежду на получение тонкопленочных полевых транзисторов. В свое время низкая подвижность электронов в CdS настораживала некоторых разработчиков, но уже достигнутые значения удельных сопротивлений напыленных пленок 108 ом\см и эффективных подвижностей около 100 см2/сек в могут привести к разработке приборов с приемлемыми характеристиками в частотном диапазоне до десятков мегагерц. Другими материалами, которые, может быть, окажутся предпочтительными, являются CdSe (запрещенная зона 1,7 эв), CdTe (запрещенная зона 1,5 эв) и ZnSe (запрещенная зона 2,6 эв). Весьма перспективен для применения в тонкопленочных полевых транзисторах арсенид галлия, потому что у него сочетаются высокое собственное удельное сопротивление и очень высокая подвижность.
Другой заманчивой возможностью является использование для канала очень тонкой металлической пленки. Недавно Ваймер [10] доложил о новом удачном тонкопленочном транзисторе р-типа, в котором применена чрезвычайно тонкая (150 А) напыленная пленка теллура. Хотя полученное произведение коэффициента усиления на полосу пропускания не лучше, чем для CdS, такой триод представляет несомненный интерес для исследований.Характеристики всех напыленных тонкопленочных полевых транзисторов тесно связаны с состоянием поверхности раздела полупроводник — изолятор.