Все компоненты — сопротивления, конденсаторы (постоянные или переменные), диоды и транзисторы, необходимые в обычных схемах, можно реализовать в полупроводнике, например кремнии, и даже, если требуется, в одной и той же пластине. При этом изоляция компонентов осуществляется с помощью р-п переходов. Некоторые компоненты, например конденсаторы с большой емкостью, можно добавить путем напыления, так же как и необходимые соединительные проводникиВос-производимость таких твердых схем может оказаться недостаточной, но ее можно .повысить путем цсщШЬования отрицательной обратной связи в простейших вариантах (рис. 4) или делая упор на применение цифровой техники.
Схемы, выполненные на кремниевой пластинке или внутри нее, часто называют интегральными, хотя отдельные компоненты схемы все же различимы. Истинные интегральные схемы в том смысле, в каком, например, магнетрон является интегральным генератором,
еще предстоит разработать. Такая интеграция будет или должна быть одним из перспективных направлений в микроэлектронике, и оставшаяся часть данной главы посвящена изучению соответствующих возможностей. Основное направление будущих разработок станет ясным, если напомнить, что размеры структуры магнетрона сравнимы с длиной волны генерируемого излучения. Чтобы получить истинно интегральные структуры, необходимо или работать на очень высоких частотах, или использовать колебания, распространяющиеся с очень малой скоростью (а следовательно, имеющие короткую длину волны), например звуковые. Прежде чем продолжить обсуждение этого вопроса, остановимся на принципах параметрического усиления.