Работа полевого транзистора с изолированным затвором основана на управлении концентрацией заряда и эффективной толщиной очень тонкого проводящего канала вблизи поверхности полупроводника под затвором. При положительных напряжениях на затворе и канале n-типа (CdS является полупроводником n-типа) индуцированные заряды вызывают увеличение количества основных носителей в проводящем слое; в этом случае говорят, что прибор работает в обогащенном режиме. Если же напряжение затвора отрицательно по- отношению к истоку и каналу, то зарядов в проводящем канале становится значительно меньше, ток уменьшается. В таких случаях говорят, что прибор работает в обедненном режиме.
Вольтамперные характеристики имеют такой вид, как показано на рис. 6. Если прибор рассчитан на работу преимущественно в обогащенном режиме, то характеристика при нулевом напряжении на затворе примерно соответствует отсечке (нулевой ток стока), как показано па рис. б; если же прибор рассчитан на работу в обод, ценном режиме, то при нулевом напряжении на затвора характеристика занимает положение А на рис. 6. Если
продолжить характеристики в область отрицательных напряжений на стоке, то кривые на рис. 6 плавно перейдут в третий квадрант. Поэтому полевые транзисторы можно рассматривать как переменные сопротивления, управляемые напряжением и имеющие практически бесконечное входное сопротивление на управляющих зажимах. Полевые транзисторы являются униполярными приборами в том смысле, что ток в любом направлении переносится основными носителями. В электрических схемах их обозначают специальным символом (рис.7) для того, чтобы отличать от обычных биполярных транзисторов.
Есть основания опасаться, что тонкопленочные триб дываймеровского типа потеряют свою первоначальную привлекательность (простоту изготовления) из-за того, что вольтампериые характеристики лабораторных образцов до сих пор еще не могут надежно воспроизводиться и, кроме того, меняются во время эксплуатации приборов. Так как функция затвора состоит только в изменении тока через расположенный под ним диод «исток-сток», то прежде всего нужно обеспечить постоянство
вольтамперной характеристики самого сульфид-кадмиевого диода. Действительно, непостоянство характеристик напыленных полевых транзисторов может быть в значительной мере связано с нестабильностью контактов.