Выпрямительные свойства р-п переходов хорошо известны и не нуждаются в специальном рассмотрении. Статические свойства р-п перехода можно пояснить с помощью рис. 1. Хотя р-п переход образуется в едином монокристалле, часть которого имеет проводимость п-типа, а часть — /7-тапа, рассмотрим все же, что произойдет, если кристалл /7-типа, содержащий подвижные положительные заряды (дырки) и равное количество неподвижных отрицательно заряженных атомов примесей, приводится в соприкосновение с кристаллом /г-типа, содержащим подвижные электроны и неподвижные положительные заряды.

В напыленных пленках обычно имеются «застывшие» механические напряжения, которые играют роль дефектов или ловушек. Поэтому электрические свойства таких пленок меняются со временем независимо от того, находятся ли они под током. Термоциклирование, по-видимому, должно влиять на концентрацию и расположение ловушек. Однако наибольшие усилия следует направить на то, чтобы контролировать механические напряжения в проводящей пленке и снижать плотность тех ловушек (особенно глубоких), которые обусловлены дефектами поверхности. Уже имеется некоторый прогресс в случае кремниевых каналов, в которых концентрацию поверхностных состояний удалось значительно понизить, наращивая тонкую изолирующую пленку двуокиси кремния со структурой, соответствующей исходному кристаллу кремния.

Чтобы изучить физику проводимости канала, вернем ему его первоначальную, форму (рис. 5). Критерием правильности любой теории тонкопленочного триода является ее способность предсказать форму вольтамперных характеристик. Структура, используемая в последующих рассуждениях, показана на рис. 10. Эта структура, заимствованная из статьи [7], пригодна для описания всех полевых транзисторов с изолированным затвором и, таким образом, охватывает как класс МОП-транзисторов, так и класс напыленных тонкопленочных транзисторов. Электрод истока соответствует катоду в вакуумном диоде, а электрод стока — аноду.

В то же время у них должен иметь место тепловой шум обусловленный флуктуациями тока основных носителей из-за их рассеяния в кристаллической решетке. Этот шум должен быть «белым», а его природа — та же, что и в газовой плазме. Мелкие ловушки, распределенные вдоль канала, будут непрерывно заполняться и освобождаться, увеличивая таким образом флуктуации тока и белый шум. При очень больших напряженностях поля в тонкой изолирующей пленке возможна медленная миграция ионов, что приводит к конечному сопротивлению утечки между затвором и каналом и вносит дополнительную составляющую шума.
Одним из наиболее неприятных свойств тонкопленочных активных элементов является исключительно высокий шум типа 1//, диапазон которого может простираться вплоть до 10 Мгц и выше. Этот шум вероятнее всего связан с заполнением и освобождением глубоких ловушек на поверхности, так как у. полевых транзисторов с р-п затвором шум типа 1// становится ничтожным на частотах выше 1 кгц. Другим доказательством в пользу поверхностно-ловушечного происхождения этого шума служит тот факт, что тонкопленочные полевые транзисторы в режиме обеднения (когда заряды удалены от поверхности) имеют меньший низкочастотный шум, чем в режиме обогащения.
Одна и та же малосигнальная эквивалентная схема (рис. 13) пригодна как для полевых, так и для тонкопленочных транзисторов; значения символов на схеме очевидны.