После этого краткого рассмотрения статических свойств переходов обратимся к выпрямительным характеристикам и характеристикам проводимости.
Когда к переходу прикладывается напряжение, возникает ток, обусловленный передвижением как электронов, так и дырок, причем эти составляющие приблизительно пропорциональны плотностям п0 и ро. Выпрямительные свойства следуют из наличия в переходе потенциального барьера (рис. 1), к которому внешнее приложенное напряжение добавляется или вычитается. Так как вероятность перехода электрона из n-слоя в р-слой определяется формулой Больцмана, то, следовательно, ток электронов определяется как.
Дырочный ток характеризуется такой же зависимостью от напряжения, но он примерно в ро/п0 раз больше. Заметим, что при прямом смещении \(U положительно) электроны переходят в /7-область, а дырки — в /г-область. Если электрическое поле вдали от перехода мало, то вблизи от перехода в п- (или р-) области возникнет избыточная концентрация дырок (электронов). Поэтому появятся градиент концентрации носителей и диффузионный ток, обусловленный этим градиентом.
Принцип действия обычного п-р-п транзистора показан на рис. 2. Переход эмиттер — база смещен в прямом направлении, и принято /г0:,»об.

После патента Лиллиенфельта от 1928 г. было изобретено множество униполярных (полевых) транзисторных структур, в том числе текнетрон (название которого происходит от инициалов изобретателя и представляемой им фирмы) и распространенный в настоящее время МОП-транзистор .
Несмотря на различие в технологических методах изготовления, работа всех униполярных полевых транзисторов основана на изменении эффективной толщины проводящего канала вследствие изменения толщины пространственного заряда р-п перехода или его эквивалента.
Структура униполярного транзистора, характерная для всего данного класса приборов, показана на рис. 3. Электронный ток протекает от истока к стоку по каналу и-типа, ограниченному двумя /-областями. Оба перехода работают при - обратном смещении, и в области пространственного заряда, проникающей в /г-канал, почти нет свободных носителей, как уже отмечалось ранее.

Выражение (7) справедливо только для простых транзисторов с однородной базой. Обеспечив определенное пространственное распределение примесей в базе, можно создать в ней внутреннее электрическое поле, которое будет способствовать диффузии носителей. Тем самым уменьшится время переноса и улучшатся свойства прибора.

Если концентрация /г0, а вместе с нею и емкость Сп достаточно велики, то плоскостной диод, смещенный в обратном направлении, ведет себя на звуковых и радиочастотах как конденсатор с малой утечкой. Более того, величину емкости можно менять, меняя U. Последнее свойство объясняется тем, что при заданной максимальной плотности неподвижного заряда внешнее поле должно вызывать изменение ширины пространственного заряда.