Работа полевого транзистора с изолированным затвором основана на управлении концентрацией заряда и эффективной толщиной очень тонкого проводящего канала вблизи поверхности полупроводника под затвором. При положительных напряжениях на затворе и канале n-типа (CdS является полупроводником n-типа) индуцированные заряды вызывают увеличение количества основных носителей в проводящем слое; в этом случае говорят, что прибор работает в обогащенном режиме.

Одним из тонкопленочных активных элементов, который, грубо говоря, служит полупроводниковым аналогом вакуумного триода, является триод на «горячих» электронах, впервые предложенный Мидом [1] в 1960 г. Принцип его работы основан на прохождении электронов сквозь металлическую пленку — базу, в которую они эмиттируются путем туннельного эффекта через тончайший слой изоляции. Толщины пленок играют решающую роль, и их типичные значения указаны на рис. 1.Изолирующий слой над змиттерным электродом должен быть достаточно тонким, чтобы был возможен туннельный эффект, но в то же время его толщина должна быть достаточно велика, чтобы выдержать сильное поле, создаваемое напряжением база—эмиттер; металлическая база должна быть настолько тонкой, чтобы ее можно было считать практически прозрачной для электронов.