Главная
Кинетика процессов в вакууме
Чтобы определить условия роста пленок в вакууме, необходимо знать окорости испарения и осаждения, температуру подложки, состав газа и скорость его компонентов в момент соударения с подложкой. В непрерывно -откачиваемых вакуумных системах существует свободный ноток молекул от источника (или источников) газа к насосу. Поэтому логично предположить, что состав, плотность и скорость молекул газа различны в разных точках вакуумного объема (рис, П.Наряду с молекулами напыляемого вещества на подложку попадают молекулы газа, десорбированные из стенок системы, уплотнений и нагревателя. Во время напыления давление может упасть ниже предельного давления насоса благодаря действию геттеров или уже существенно возрасти вследствие выделения газов.
В большинстве случаев вакуум определяют »путем измерения остаточного давления газа с помощью ионизационного манометра.
В большинстве случаев вакуум определяют »путем измерения остаточного давления газа с помощью ионизационного манометра.
Свойства компонентовПараметры тонкопленючных пассивных компонентов, полученных различными изготовителями, разумеется, несколько различны. Описываемые ниже компоненты, хотя и предназначены для "определенней аппаратуры, но, пожалуй, типичны для большинства изготовителей.
Целесообразность тонкопленочной схемыВ настоящее время накоплен достаточный опыт в технологии микроэлектронных схем для того, чтобы определить, какой из технологических методов больше всего соответствует данному типу схемы. В большинстве случаев заданную схему можно реализовать любым из существующих технологических приемов, но, вообще говоря, ее изготовление окажется наиболее легким и экономичным при использовании какого-то определенного метода.
Соотношение пассивных и активных компонентов. Перспективы развития интегральных схемПо мере совершенствования технологии проблема площади пластины перестанет быть доминирующим фактором. Это позволит повысить экономичность процессов сборки и испытания путем размещения в одном корпусе более сложных логических структур. Вероятно, эти сложные структуры будут предложены разработчиками систем без особых уступок в отношении рассеиваемой мощности и технологичности; наиболее удачные конструкции будут результатом тесного сотрудничества разработчиков систем и изготовителей приборов.
С течением времени развитие в этом направлении приведет к созданию целых субсистем, размещенных в одном корпусе, таких, как сумматоры, регистры сдвига, счетчики, запоминающие устройства и т. п. , Это вызовет необходимость еще более полного использования площади кристалла и (или) освоения зеркальной технологии монтажа (см. стр. 236). Прогресс в указанном направлении требует решения целого ряда проблем, важнейшими из которых следует считать, во-первых, взаимную информацию разработчиков и изготовителей, во-вторых, вопросы монтажа и конструктивного оформления. |