• Главная
  • Физика приборов
  • Подложки для тонкопленочных схем
  • Технология интегральных схем
  • Аппаратура

Главное меню
  • Главная
  • Физика приборов
  • Подложки для тонкопленочных схем
  • Технология интегральных схем
  • Аппаратура
  • Интегральные схемы
Главная

Последние новости

  • Электронный зонд
  • Растровые электронные микроскопы в микроэлектронике
  • Источники загрязнения органическими веществами
  • Неправильное измерение давления
  • Десорбированный диск

Самое популярное

  • Резонансный усилитель
  • Концентрация
  • Работа машины
  • Рабочая температура
  • Электрическая изоляция

Кинетика процессов в вакууме

Чтобы определить условия роста пленок в вакууме, необходимо знать окорости испарения и осаждения, температуру подложки, состав газа и скорость его компонентов в момент соударения с подложкой. В непрерывно -откачиваемых вакуумных системах существует свободный ноток молекул от источника (или источников) газа к насосу. Поэтому логично предположить, что состав, плотность и скорость молекул газа различны в разных точках вакуумного объема (рис, П.Наряду с молекулами напыляемого вещества на подложку попадают молекулы газа, десорбированные из стенок системы, уплотнений и нагревателя. Во время напыления давление может упасть ниже предельного давления насоса благодаря действию геттеров или уже существенно возрасти вследствие выделения газов.
В большинстве случаев вакуум определяют »путем измерения остаточного давления газа с помощью ионизационного манометра.
 

Свойства компонентов

Параметры тонкопленючных пассивных компонентов, полученных различными изготовителями, разумеется, несколько различны. Описываемые ниже компоненты, хотя и предназначены для "определенней аппаратуры, но, пожалуй, типичны для большинства изготовителей.
 

Целесообразность тонкопленочной схемы

В настоящее время накоплен достаточный опыт в технологии микроэлектронных схем для того, чтобы определить, какой из технологических методов больше всего соответствует данному типу схемы. В большинстве случаев заданную схему можно реализовать любым из существующих технологических приемов, но, вообще говоря, ее изготовление окажется наиболее легким и экономичным при использовании какого-то определенного метода.
Соотношение пассивных и активных компонентов.
 

Перспективы развития интегральных схем

По мере совершенствования технологии проблема площади пластины перестанет быть доминирующим фактором. Это позволит повысить экономичность процессов сборки и испытания путем размещения в одном корпусе более сложных логических структур. Вероятно, эти сложные структуры будут предложены разработчиками систем без особых уступок в отношении рассеиваемой мощности и технологичности; наиболее удачные конструкции будут результатом тесного сотрудничества разработчиков систем и изготовителей приборов.
С течением времени развитие в этом направлении приведет к созданию целых субсистем, размещенных в одном корпусе, таких, как сумматоры, регистры сдвига, счетчики, запоминающие устройства и т. п. , Это вызовет необходимость еще более полного использования площади кристалла и (или) освоения зеркальной технологии монтажа (см. стр. 236).
Прогресс в указанном направлении требует решения целого ряда проблем, важнейшими из которых следует считать, во-первых, взаимную информацию разработчиков и изготовителей, во-вторых, вопросы монтажа и конструктивного оформления.
 
Еще статьи...
  • Ионизационные манометры
  • Проектирование схемы
  • Разработка полупроводниковых интегральных схем
  • Конструкции камеры

<< Первая < Предыдущая 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 Следующая > Последняя >>

Страница 20 из 27


.