Главная
Разработка тонкопленочных схем
Ввиду отсутствия установившейся I терминологии в микроэлектронике необходимо -прежде всего определить, что мы понимаем под «тонкопленочными схемами». В данной главе схемы такого типа классифицируются следующим образом:
— пассивная подложка;
— напыленные проводники;
— напыленные резисторы;
— напыленные или навесные конденсаторы;
— напыленные или навесные индуктивности;
— навесные активные полупроводниковые приборы. По ско л ьку п р едд а г а ем а я к л асси фик а ция в к л юч ает
дополнительные дискретные компоненты, указанные схемы не являются истинно тонкошюноч,ными и их лучше было бы называть гибридными интегральными схемами Типичная тонкопленочная схема показана на рис. 1 В данной конструкции стеклянная подложка имеет размеры 30x20X1 мм. На ней расположены нихромовые резисторы, золотые "проводники и алюминиевые электроды конденсаторов, а в качестве диэлектрика использована моиоокись кремния. Транзисторы и диоды укреплены в отверстиях стеклянной подложки, а межсоединения
выполнены при помощи пайки.
— пассивная подложка;
— напыленные проводники;
— напыленные резисторы;
— напыленные или навесные конденсаторы;
— напыленные или навесные индуктивности;
— навесные активные полупроводниковые приборы. По ско л ьку п р едд а г а ем а я к л асси фик а ция в к л юч ает
дополнительные дискретные компоненты, указанные схемы не являются истинно тонкошюноч,ными и их лучше было бы называть гибридными интегральными схемами Типичная тонкопленочная схема показана на рис. 1 В данной конструкции стеклянная подложка имеет размеры 30x20X1 мм. На ней расположены нихромовые резисторы, золотые "проводники и алюминиевые электроды конденсаторов, а в качестве диэлектрика использована моиоокись кремния. Транзисторы и диоды укреплены в отверстиях стеклянной подложки, а межсоединения
выполнены при помощи пайки.
Транзисторная логика с эмиттерными связями (ТЛЭС)Время переключения транзисторов можно снизить, устраняя насыщение, а фиксацию тока коллектора обеспечить либо с помощью нелинейной обратной связи, либо задавая определенный ток эмиттера. Вариант с обратной связью трудно реализовать в условиях переменной нагрузки на входе и выходе; к тому же этот вариант часто обманчив вследствие накопления заряда в цепи обратной связи. Задание эмиттерного тока в настоящее время является наиболее популярным методом, и на принципе «токовых переключателей» разработан ряд схем.
Исходная ячейка ТЛЭС показана на рис. 6,а. Когда на одном из входов имеется достаточное напряжение, положительное по отношению к опорному Вакуумная физика в технологии осажденияСистемы вакуумного осаждения играют важную роль в -производстве и разработке твердосхемных и тонкопленочных приборов, применяемых в микроэлектронике.
В многочисленных статьях по физическим и химическим свойствам -пленок, полученных испарением в вакууме и катодным напылением, указывается, что структура и чистота таких пленок в основном зависят от условий их роста. Определенность величины логического перепадаОпределенность величины логического перепада обеспечивается постоянством соотношения сопротивлений R и RK (с точностью ±5%), но осложняется температурной зависимостью напряжения на резисторе R и изменениями потенциала эмиттеров в зависимости от формы входного сигнала. Эту последнюю зависимость можно скомпенсировать, выбирая RK\
|