Главная
Структура ТТЛ
Структура ТТЛ (транзисторно-транзисторная логика), которая выполняет аналогичную функцию, показана рис. 3. Эта структура лучше совместима с принципами построения полупроводниковых ИС. Во-первых, в ней используются преимущественно актиМыё компоненты. Во-вторых, в ней применен прибор, специально разработанный для выполнения заданной функции (многоэмиттерный транзистор). Это было бы непозволительной роскошью в дискретном варианте, но не на много удорожает разработку и оборудование в случае полупроводниковой ИС. Кроме того, если площадь используется более эффективно, что имеет место в данном
случае, то окончательная цена снижается. Топология схемы видна на рис. 6, где показана часть полностью обработанной пластины.
случае, то окончательная цена снижается. Топология схемы видна на рис. 6, где показана часть полностью обработанной пластины.
Десорбированный дискВ приведенном примере общее давление газа с хаотическим распределением скоростей и парциальное давление компонента, десорбированного диском, велики по сравнению с давлением расширившегося первичного пучка молекул, исходящего из резины. Теперь посмотрим, что произойдет, если сильно увеличить производительность насоса. Будем полагать что при этом не появляется никакого направленного потока газа, кроме того, который исходит от десорбирующего диска. Этого можно достигнуть, например, монтируя панель криогенного насоса внутри камеры.
Конструирование схемыРазработчик схемы может дать свою "собственную первоначальную конструкцию (топологию) лодложш для то"нкапленочной гибридной схемы. При этом не только обеспечивается весьма желательный контроль разработчика за конструкцией, но и снижаются затраты времени на изготовление прототипов.
Удобно вычерчивать конструкцию с пятикратным увеличением. Разработка компонентовОсновные характеристики компонентов ИС сведены в таблице. Для резисторов как диффузионных, так и напыленных характерно удельное поверхностное сопротивление около 300 ом/П. Таким образом, площадь, занимаемая ими на подложке, в обоих случаях одна и ж же. Основным аргументом против использования напыленных компонентов в полупроводниковых ИС является стоимость дополнительного технологического процесса. При определенных обстоятельствах в некоторых типах схем можно использовать для резисторов не одно, а несколько значений удельного поверхностного сопротивления.
|