Главная
Технология полупроводниковых схем
В настоящее время хорошо известно, что полупроводниковая интегральная схема (ИС), как указывает само название, представляет собой совокупность компонентов, сформированных одновременно на пластинке кремния с помощью типовых процессов, лежащих в основе изготовления транзисторов. Компоненты соединяются друг с другом или внутри пластинки или при помощи металлических проводников, нанесенных на ее поверхность. Целью данной главы является описание технологического оборудования для изготовления полупроводниковых ИС. Такое описание не может быть исчерпывающим, однако следует сразу заметить, что в основном используется та же технология, что и при получении обычных планарных транзисторов. Поэтому фирмы, специализировавшиеся на изготовлении транзисторов в обычных корпусах, после небольших изменений в технологическом процессе выпускают и полупроводниковые ИС.
Полупроводниковые ИС можно разделить на два основных класса: моно- и многомодульные . Часто целесообразность использования многомодульной конструкции обусловливается чисто экономическими, а не функциональными требованиями (например, развязкой по высокой частоте).
Полупроводниковые ИС можно разделить на два основных класса: моно- и многомодульные . Часто целесообразность использования многомодульной конструкции обусловливается чисто экономическими, а не функциональными требованиями (например, развязкой по высокой частоте).
Конструирование полупроводниковых интегральных схемМетоды разработки, конструирования и испытаний полупроводниковых ИС в значительной степени определяют процент выхода, а поэтому и их окончательную стоимость. Основные принципы, определяющие структуру ИС, обсуждались в других главах.
Изготовление фотошаблоновКомплект шаблонов, которые во время технологического процесса обеспечивают заданную топологическую геометрию отдельных элементов, является основой производства полупроводниковых ИС. Шаблоны изготовляются в следующей последовательности: требуемый рисунок вычерчивается или вырезается, фотографируется с. уменьшением масштаба и размножается в пределах одного и того же негатива, так что на площади в несколько квадратных сантиметров размещается огромное количество идентичных рисунков. Процесс размножения изображений иногда осуществляют на промежуточной стадии уменьшения масштаба, а иногда уже при окончательном размере негатива. Полученная пластина является эталоном и должна быть весьма совершенной, потому что она используется для производства копий методом контактной печати.
Окисление кремнияКремниевая пластина вначале шлифуется с помощью абразива для удаления следов резки и других крупных неровностей, а затем полируется. Обычно вместо механической полировки применяется "электролитическая. Получается очень гладкая пластинка толщиной примерно 0,1 мм. После; этого она обезжиривается и промывается чистой водой. Следующим этапом является выращивание слоя двуокиси кремния на пластине.
|
Еще статьи...