Главная
Переходы
После этого краткого рассмотрения статических свойств переходов обратимся к выпрямительным характеристикам и характеристикам проводимости.
Когда к переходу прикладывается напряжение, возникает ток, обусловленный передвижением как электронов, так и дырок, причем эти составляющие приблизительно пропорциональны плотностям п0 и ро. Выпрямительные свойства следуют из наличия в переходе потенциального барьера (рис. 1), к которому внешнее приложенное напряжение добавляется или вычитается. Так как вероятность перехода электрона из n-слоя в р-слой определяется формулой Больцмана, то, следовательно, ток электронов определяется как.
Дырочный ток характеризуется такой же зависимостью от напряжения, но он примерно в ро/п0 раз больше. Заметим, что при прямом смещении \(U положительно) электроны переходят в /7-область, а дырки — в /г-область. Если электрическое поле вдали от перехода мало, то вблизи от перехода в п- (или р-) области возникнет избыточная концентрация дырок (электронов). Поэтому появятся градиент концентрации носителей и диффузионный ток, обусловленный этим градиентом.
Принцип действия обычного п-р-п транзистора показан на рис. 2. Переход эмиттер — база смещен в прямом направлении, и принято /г0:,»об.
Когда к переходу прикладывается напряжение, возникает ток, обусловленный передвижением как электронов, так и дырок, причем эти составляющие приблизительно пропорциональны плотностям п0 и ро. Выпрямительные свойства следуют из наличия в переходе потенциального барьера (рис. 1), к которому внешнее приложенное напряжение добавляется или вычитается. Так как вероятность перехода электрона из n-слоя в р-слой определяется формулой Больцмана, то, следовательно, ток электронов определяется как.
Дырочный ток характеризуется такой же зависимостью от напряжения, но он примерно в ро/п0 раз больше. Заметим, что при прямом смещении \(U положительно) электроны переходят в /7-область, а дырки — в /г-область. Если электрическое поле вдали от перехода мало, то вблизи от перехода в п- (или р-) области возникнет избыточная концентрация дырок (электронов). Поэтому появятся градиент концентрации носителей и диффузионный ток, обусловленный этим градиентом.
Принцип действия обычного п-р-п транзистора показан на рис. 2. Переход эмиттер — база смещен в прямом направлении, и принято /г0:,»об.
Возможность различных форм и размеровЭто требование очевидно, если учесть, что подложки используются в самых различных конструкциях и находят самое разнообразное применение. В настоящее время существует много различных типов и форм подложек.
МежсоединенияОсновной тип многослойной платы имеет четыре проводящие плоскости. Два внутренних слоя состоят, из почти сплошных листов меди, отделенных друг от друга изоляцией толщиной 0,15 мм. Одна из этих плоскостей является заземленной шиной, а к другой подводится напряжение источника питания.
Стеклянные пластиныСтеклянные пластины применяемые в качестве негативов, обладают большей однородностью, чем пластмассовые пленки, но им свойственна большая хрупкость и они менее удобны з обращении. В большинстве случаев пригодны однородные пленочные материалы различных марок, которые отличаются большими удобствами при практическом использовании. Для негативов используются эмульсии типа Maximum Resolution или Lith, обеспе-.
|