Главная
Толщина медной фольги
Обычно толщина медной фольги составляет около 75 мк и травление, если оно ведется только с одной стороны, обязательно приводит к заметному скосу на краях. Если это несущественно, то процесс оказывается достаточно простым. Медная фольга очищается, покрывается эмульсией и экспонируется, как было описано выше, но дрежде чем проводить процесс травления в FeCl3 (удельный вес 1,32), на ту сторону, где не будет печати наносится нитрокраска. Последняя призвана скреплять элементы трафаретной матрицы (одиночные трафареты делаются редко, если столь же просто получить сразу несколько экземпляров), а также предохранять обратную сторону фольги от действия кислоты. Время травления ripM комнатной температуре 7—10 мин\ после проМьШКМ трафарет готов к применению.
Стоимость подложекЭта тема, разумеется, взаимосвязана со всеми другими рассматриваемыми техническими вопросами. Если, в конце концов, удастся получить ТПС на основе пластмассовых подложек и с- характеристиками, удовлетворяющими конкретным областям применения, то, вероятно, такие подложки окажутся самыми дешевыми. В некоторых специальных областях применения может потребоваться использование стекла.
Характеристики машины1. Длина слова: 24 двоичные единицы.
2. Структура слова: 14 двоичных единиц —рсновнол адрес; 3 двоичные единицы — адрес семи рабочих накопителей и источника констант; 5 двоичных единиц — для 32 возможных операций, из которых используется 30; 2 двоичные единицы - - адрес трех накопителей используемых в качестве преобразующих регистров. Введение. В некоторых бортовых электронных субсистемах типа операционного усилителя необходимы компоненты, которые не могут быть получены в форме кремниевых ИС. Например, в таких субсистемах часто требуются резисторы с очень малыми допусками, лежащими за пределами возможностей диффузионных методов, или резисторы с очень малыми температурными коэффициентами, которые также не могут быть выполнены на кремнии. Униполярные (полевые) транзисторыПосле патента Лиллиенфельта от 1928 г. было изобретено множество униполярных (полевых) транзисторных структур, в том числе текнетрон (название которого происходит от инициалов изобретателя и представляемой им фирмы) и распространенный в настоящее время МОП-транзистор .
Несмотря на различие в технологических методах изготовления, работа всех униполярных полевых транзисторов основана на изменении эффективной толщины проводящего канала вследствие изменения толщины пространственного заряда р-п перехода или его эквивалента. Структура униполярного транзистора, характерная для всего данного класса приборов, показана на рис. 3. Электронный ток протекает от истока к стоку по каналу и-типа, ограниченному двумя /-областями. Оба перехода работают при - обратном смещении, и в области пространственного заряда, проникающей в /г-канал, почти нет свободных носителей, как уже отмечалось ранее. |