Одним из тонкопленочных активных элементов, который, грубо говоря, служит полупроводниковым аналогом вакуумного триода, является триод на «горячих» электронах, впервые предложенный Мидом [1] в 1960 г. Принцип его работы основан на прохождении электронов сквозь металлическую пленку — базу, в которую они эмиттируются путем туннельного эффекта через тончайший слой изоляции. Толщины пленок играют решающую роль, и их типичные значения указаны на рис. 1.Изолирующий слой над змиттерным электродом должен быть достаточно тонким, чтобы был возможен туннельный эффект, но в то же время его толщина должна быть достаточно велика, чтобы выдержать сильное поле, создаваемое напряжением база—эмиттер; металлическая база должна быть настолько тонкой, чтобы ее можно было считать практически прозрачной для электронов.

При сочетании тонкопленочных схем с монолитными серьезной проблемой являются межсоединения. В настоящее время общепринятой стала практика размещения твердых схем в плоских корпусах. Несомненно, что то же самое можно проделать с тонкопленочными схемами. Однако такое решение не соответствовало бы общим целям микроэлектроники, как можно видеть из следующих соображений.

Были изготовлены пленки из различных металлов, выдерживающие все эти испытания, а также допускающие легкое и чистое травление. При условии, что процессы изготовления фотооритииалов и негативов, а также фотолитография были проведены с большой точностью (иначе невозможно изготовить качественные резисторы), получались резисторы с допуском менее 2%. Эту цифру можно было бы улучшить оптическим совмещением экспозиционных шаблонов.