Целый ряд фирм разработали надежные способы производства интегральных полупроводниковых схем, основанных на применении монокристаллических кремниевых пластинок. В настоящее время путем чередования процессов диффузии примесей и травления стало возможным создание в одной маленькой пластинке целых функциональных блоков, содержащих резисторы, конденсаторы (в виде обратносмещенных р-п переходов), активные элементы и все необходимые соединения.

Контрольный квадрат используется не только для контроля осаждения, но и для проверки величины сопротивления до и после травления и после старения.
Во время технологического процесса регулярно проводится измерение температурного коэффициента, причем допустимы только положительные величины. При содержании хрома от 40 до 45% (которое определяется с помощью рентгеновского спектроскопа) температурный коэффициент лежит в пределах (10—50) 10~6 1/°С.
Весьма существенно, чтобы в тонкопленочных микросхемах пленки были жестко связаны с подложкой. В этом отношении резистивные пленки не представляют никаких проблем. Что касается золота, наносимого сразу вслед за нихромом без нарушения вакуума, то, с одной стороны, оно не может осаждаться из «паровой фазы» (иначе его было бы невозможно удалить селективным травлением), а с другой стороны, без глубокого внедрения или диффузии связь оказывается очень слабой.

На первый взгляд создается впечатление, что появление управляемых снарядов и ракет требует создания любой ценой микроминиатюрной аппаратуры, способной поместиться в кожухе с размерами и формой обычного карандаша. На самом деле это не так, поскольку управляемое оружие является только частью полной системы вооружений, которая в целом должна быть экономически оправданной.
Полная система может включать в себя стационарные цифровые и аналоговые вычислительные машины, по сложности эквивалентные типичной серийной вычислительной машине средних размеров. Наземная или судовая аппаратура не обязательно должна иметь малые размеры, но она должна быть надежной.