Главное меню
Главная

Последние новости

Самое популярное

Фотомеханические методы в микроэлектронике

С появлением печатных схем в годы последней войны фотомеханические процессы проникли в область электроники. Теперь они занимают прочное положение в качестве одного из основных методов при производстве транзисторов и составной части микроэлектронной технологии. Фотоэмульсии, которые в течение столетия применялись в графическом искусстве, дополнились фоторезистами, призванными удовлетворить нужды электронной промышленности, а изготовители объективов с высокой разрешающей способностью нашли новый рынок сбыта своей продукции.
Фоторезисты
Фоторезистом называется материал, который под действием света меняет свою растворимость [1]. При этом большинство резистов становится нерастворимым в стандартных растворителях, но в некоторых других растворителях их растворимость повышается.
 

Разработчики и изготовители ИС

Разработчики и изготовители ИС должны учитывать изложенные выше запросы потребителя в свете сложной и теткой технологии производства. Выбор схемных решений в настоящее время определяется факторами, которые обеспечивают сбыт продукции, т. е. простотой производства.
 

Структура и свойства диэлектрических пленок

Тонкие диэлектрические пленки известны технологам много лет, причем самым ранним их практическим применением была, вероятно, «просветленная» оптика. Появление транзисторов с их низкими рабочими напряжениями сделало возможным получение больших емкостей просто путем очень близкого расположения пластин друг к другу,, что немедленно вызвало интерес к тонкопленочным конденсаторам. Такие конденсаторы в настоящее время производятся несколькими способами и широко используются в микроэлектронике наряду с тонкопленочными резисторами.
 

Механизм прохождения тока в тонкопленочном канале

Чтобы изучить физику проводимости канала, вернем ему его первоначальную, форму (рис. 5). Критерием правильности любой теории тонкопленочного триода является ее способность предсказать форму вольтамперных характеристик. Структура, используемая в последующих рассуждениях, показана на рис. 10. Эта структура, заимствованная из статьи [7], пригодна для описания всех полевых транзисторов с изолированным затвором и, таким образом, охватывает как класс МОП-транзисторов, так и класс напыленных тонкопленочных транзисторов. Электрод истока соответствует катоду в вакуумном диоде, а электрод стока — аноду.
 
Еще статьи...


.