Если в схеме кроме пассивных компонентов должны быть и активные, то для их присоединения к тонкопленочной схеме применяется метод, известный под названием «зеркальной» технологии (см. стр. 236). Для этого специальные бескорпусные транзисторы, выпускаемые различными фирмами, имеют металлические выступы-шарики на контактных площадках базы, эмиттера и коллектора. Такие транзисторы помещаются на поверхность подложки лицевой стороной, чтобы шарики расположились на соответствующих соединительныхучастках. При нагревании системы металлические шарики расплавляются и сплавляются с золотой пленкой на подложке.

Показано также, что увеличение скорости напыления снижает размер критических зерен и при большой скорости напыления будет получена пленка с малой величиной, г, а следовательно, с более непрерывной структурой. Это предсказание также подтверждено практикой.
Итак, нами изучен процесс роста тонких пленок, включающий выход отдельных атомов из испарителя, их путь к подложке и их перемещение по подложке до образования структуры, имеющей минимальную энергию. Выяснилось, что принятая простая модель объясняет влияние температуры подложки, скорости напыления и температуры плавления металла на структуру пленки.

С точки зрения потребителя, важнейшими показателями интегральных схем (ИС) являются стоимость, надежность и рабочие характеристики. Эти показатели определяются всем технологическим комплексом, детали которого различны у разных фирм. В большинстве случаев при выборе блоков цифровой аппаратуры разработчик рассматривает их как «черные ящики» и производит оценку конкурирующих блоков по следующим показателям:
Стоимость, отнесенная к числу выполняемых функций.
При использовании этой оценки следует проявлять большую осторожность, поскольку сравнительные цифры могут быть некорректными; лучше всего сравнивать стоимости наиболее характерных узлов разрабатываемой системы.