В то же время у них должен иметь место тепловой шум обусловленный флуктуациями тока основных носителей из-за их рассеяния в кристаллической решетке. Этот шум должен быть «белым», а его природа — та же, что и в газовой плазме. Мелкие ловушки, распределенные вдоль канала, будут непрерывно заполняться и освобождаться, увеличивая таким образом флуктуации тока и белый шум. При очень больших напряженностях поля в тонкой изолирующей пленке возможна медленная миграция ионов, что приводит к конечному сопротивлению утечки между затвором и каналом и вносит дополнительную составляющую шума.
Одним из наиболее неприятных свойств тонкопленочных активных элементов является исключительно высокий шум типа 1//, диапазон которого может простираться вплоть до 10 Мгц и выше. Этот шум вероятнее всего связан с заполнением и освобождением глубоких ловушек на поверхности, так как у. полевых транзисторов с р-п затвором шум типа 1// становится ничтожным на частотах выше 1 кгц. Другим доказательством в пользу поверхностно-ловушечного происхождения этого шума служит тот факт, что тонкопленочные полевые транзисторы в режиме обеднения (когда заряды удалены от поверхности) имеют меньший низкочастотный шум, чем в режиме обогащения.
Одна и та же малосигнальная эквивалентная схема (рис. 13) пригодна как для полевых, так и для тонкопленочных транзисторов; значения символов на схеме очевидны.