Усовершенствование технологии напыленных пленок дает надежду на получение тонкопленочных полевых транзисторов. В свое время низкая подвижность электронов в CdS настораживала некоторых разработчиков, но уже достигнутые значения удельных сопротивлений напыленных пленок 108 ом\см и эффективных подвижностей около 100 см2/сек в могут привести к разработке приборов с приемлемыми характеристиками в частотном диапазоне до десятков мегагерц. Другими материалами, которые, может быть, окажутся предпочтительными, являются CdSe (запрещенная зона 1,7 эв), CdTe (запрещенная зона 1,5 эв) и ZnSe (запрещенная зона 2,6 эв). Весьма перспективен для применения в тонкопленочных полевых транзисторах арсенид галлия, потому что у него сочетаются высокое собственное удельное сопротивление и очень высокая подвижность.
Другой заманчивой возможностью является использование для канала очень тонкой металлической пленки.

При осаждении диэлектрической пленки методом напыления в ней .возникают механические напряжения, начиная с самых ранних стадий роста. Замечено, что более толстые пленки имеют тенденцию вспучиваться и отставать от подложки вследствие внутренних сжимающих усилий или же трескаться вследствие внутренних растягивающих усилий. Характер напряжений — сжимающих или растягивающих — зависит от материала, типа подложки и условий осаждения.

Трафареты могут быть изготовлены.при помощи образцового негатива различными методами. Их можно получить путем селективного (химического или электролитического) травления металлической фольги или «путем гальванического осаждения металла на проводящую поверхность, не -покрытую изолирующим слоем фоторезиста.