В напыленных пленках обычно имеются «застывшие» механические напряжения, которые играют роль дефектов или ловушек. Поэтому электрические свойства таких пленок меняются со временем независимо от того, находятся ли они под током. Термоциклирование, по-видимому, должно влиять на концентрацию и расположение ловушек. Однако наибольшие усилия следует направить на то, чтобы контролировать механические напряжения в проводящей пленке и снижать плотность тех ловушек (особенно глубоких), которые обусловлены дефектами поверхности. Уже имеется некоторый прогресс в случае кремниевых каналов, в которых концентрацию поверхностных состояний удалось значительно понизить, наращивая тонкую изолирующую пленку двуокиси кремния со структурой, соответствующей исходному кристаллу кремния.

В случае отпирающей помехи схемы РЕТЛ и ТЛНС имеют почти одинаковую помехоустойчивость и притом меньшую, чем РТЛ. В случае запирающей помехи иДиодно-транзисторная логика с резистивно-емкостны-ми связями (РЕДТЛ). Вид этой схемы (весьма популярной в случае дискретных компонентов) показан на рис. 3,а. Использование резистора R для смещения уровня обеспечивает известную свободу при разработке схемы; однако для задания нижнего уровня потенциала базы необходимым элементом оказывается резистор RQ,
при условии одинаковых избыточных токов эти выводы остаются в силе. В присутствии низкочастотных помех РЕТЛ может оказаться оптимальным вариантом вследствие того, что цепь RQC является фильтрсм верхних частот.Напряжение Д

Хотя не существует полной теории, объясняющей все экспериментальные данные по образованию центров кристаллизации и росту тонких пленок, но все же теоретический анализ выявил важнейшие параметры этих процессов. Такими параметрами являются:
а) энергия на поверхности между конденсатом и подложкой;
б) подвижность атомов конденсата на подложке;
в) скорость падающих атомов;
г) характер подложки и ее температура;
д) давление во время напыления. Теория образования центров кристаллизации [10] предполагает, что существует критический радиус исходных центров кристаллизации; при большем радиусе они растут (если продолжается напыление), а при меньшем— вновь испаряются. Этот радиус зависит, в частности, и от энергии на .поверхности раздела, возрастая с ростом энергии. Таким образом, в системе с высокой энергией на поверхности раздела, например системе металл — диэлектрик, будет получена крупнозернистая пленка.