• Главная
  • Физика приборов
  • Подложки для тонкопленочных схем
  • Технология интегральных схем
  • Аппаратура

Главное меню
  • Главная
  • Физика приборов
  • Подложки для тонкопленочных схем
  • Технология интегральных схем
  • Аппаратура
  • Интегральные схемы
Главная Интегральные схемы

Электронный зонд

На стадии исследований описанный метод позволяет определять расположение основных частей микросхемы при настройке. После того как начато серийное производство, этот же метод должен быть использован для дефектов -путем проверки пластины по точкам.

Подробнее...

 

Растровые электронные микроскопы в микроэлектронике

Растровый электронный микроскоп может быть использован в микроэлектронике для наблюдения поверхности материалов на всех этапах производства и для контроля по геометрическому изображению или каргам потенциального рельефа. До зарождения микроэлектроники прибор применялся для исследований в области металлургии, биологии, химии i других наук (см. фундаментальный обзор [1]). Растровый электронный микроскоп использует обычные (для работы на просвет) электронно-оптические компоненты, но в обратном для отраженных лучей направлении, что позволяет уменьшить размеры источника электронов примерно в 5000 раз (с 50 мк в электронной пушке до 100 А). Этот узкий электронный зонд сканируется вдоль поверхности образца синхронно с разверткой электронного луча в обычном электронном осциллоскопе. Ток в отклоняющих катуш-. ках микроскопа намного меньше, чем в отклоняющей системе электроннолучевой трубки, и, таким образом, отношение масштабов обоих растров, т. е. увеличение, может быть 10 см/1 мк или 100 000 раз. Полезное увеличение меньше этой величины и зависит от размеров электронного зонда и от исследуемого образца.

Подробнее...

 

Источники загрязнения органическими веществами

Главные источники загрязнения вакуумных систем органическими веществами — смазки вакуумных насосов и уплотнения. Смазочные масла в роторных насосах могут иметь давление испарения при 15° С около 10~4 тор и значительно больше при рабочей температуре насоса (~40°С). На первой стадии откачки высокое начальное давление газа и встречный поток газа предотвращают диффузию паров смазочных масел в камеру, но когда давление падает приблизительно до 0,1 тор, диффузия этих паров становится существенной.

Подробнее...

 

Неправильное измерение давления

Выше было показано, что в непрерывно откачиваемой системе существуют направленные потоки газа, которые выражены тем сильнее, чем в большей степени локализовано выделение газа. Рассмотрим теперь неточности, возникающие при измерении давления, когда используется формула для равновесного состояния S0/?x=Q. Если молекулы газа поступают во всасывающее сопло насоса хаотически (поскольку диаметр камеры больше, чем диаметр насоса, и молекулы газа из любого локализованного источника рассеиваются при столкновениях со стенками), то равновесное давление можно измерить, размещая датчик манометра (рис. 1) либо на основной плате, либо на цилиндре камеры (на расстоянии радиуса камеры от основной платы).
Тем не менее иногда вследствие неосведомленности или из коммерческих соображений или просто вследствие беззаботности монтируют датчик манометра в трубе диффузионного насоса. В других случаях только входное отверстие манометра оказывается расположенным вблизи азотной ловушки над насосом. Когда датчик находится в трубопроводе насоса, он показывает давление ниже истинного давления в камере.

Подробнее...

 

Десорбированный диск

В приведенном примере общее давление газа с хаотическим распределением скоростей и парциальное давление компонента, десорбированного диском, велики по сравнению с давлением расширившегося первичного пучка молекул, исходящего из резины. Теперь посмотрим, что произойдет, если сильно увеличить производительность насоса. Будем полагать что при этом не появляется никакого направленного потока газа, кроме того, который исходит от десорбирующего диска. Этого можно достигнуть, например, монтируя панель криогенного насоса внутри камеры.

Подробнее...

 
Еще статьи...
  • Конструкции камеры
  • Ионизационные манометры
  • Кинетика процессов в вакууме
  • Вакуумная физика в технологии осаждения

<< Первая < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 Следующая > Последняя >>

Страница 1 из 6


.