• Главная
  • Физика приборов
  • Подложки для тонкопленочных схем
  • Технология интегральных схем
  • Аппаратура

Главное меню
  • Главная
  • Физика приборов
  • Подложки для тонкопленочных схем
  • Технология интегральных схем
  • Аппаратура
  • Интегральные схемы
Главная Интегральные схемы Конструкции камеры

Конструкции камеры

Вследствие особенностей конструкции камеры и откачивающей установки плотность (или давление) хаотической составляющей потока не зависит от положения датчика .[(т. е. ix=const), так что полярная диаграмма построена только для тока |gg который пропорционален плотности Пи. При отверстии ионного детектора, расположенном на расстоянии 10 см от резинового диска, и при нормальном угле падения газового потока ток а, что ориентировочно соответствует давлению в потоке //н (т. е. величине, измеренной датчиком) около Ю-7 тор. Ионный ток и давление, соответствующие хаотической составляющей, равны ix—7,5-Ю-9 а и /?х= = Ю-5 тор.
Интегрируя полярную диаграмму, показанную на рис. 3, учитывая скорость газа (эквивалентного азоту) и выражая результат в нормальных для вакуумной техники единицах, получим, что полная скорость десорбции равна приблизительно 1,5-Ю-3 лтор/сек.
Так как рх есть равновесное давление, определяемое равенством Q=S0px (где Q— полная скорость течения газа и So — производительность откачивающего насоса, равная 600 л/сек), то Q = 6 10~3 л тор/сек и десорбция из резинового диска составляет 25% от общего потока газа. Скорость десорбции из материала Buna N в данном случае была приблизительно в сто раз выше нормальной, так как диск до этого лежал на рабочей скамье и был поэтому загрязнен.
Скорость бомбардировки. Обычно скорость молекул газа яри ударе о поверхность подложки рассчитывают, исходя из давления рХу измеренного вакуумным манометром, связанным с камерой. При этом используют выражение, дающее молекулярную скорость бомбардировки плоскости, подверженной воздействию хаотического движения молекул \Nx=Anxv/4, где А— бомбардируемая площадь.
 


.