Степень уменьшения фотооригинала выбирается в соответствии с допусками, требуемыми на окончательной стадии, и площадью окончательного изображения. Естественно, если эта площадь весьма велика, скажем 5х Х2,5 см, и мультипликация неприемлема, то 20-кратное уменьшение будет максимально возможным с соответствующими ограничениями на допуски. Если же схема занимает площадь 0,25X0,25 см, то возможно 100-кратное уменьшение; кроме того, в этом случае можно размножить изображение и получить маску, содержащую сто или более изображений.
Используемый объектив должен иметь достаточную разрешающую способность и давать плоское изображение.

Маски, применяемые при производстве интегральных схем (ИС), бывают двух основных типов. Маски первого типа представляют собой стеклянную подложку, покрытую либо эмульсией галлоидного серебра (обработка которого .дает возможность получить непрозрачное изображение на светлом фоне), либо непрозрачным веществом, травление которого дает такой же результат. Этот тип масок применяется в качестве негативов при экспозиции фоторезистивных слоев. Другой тип масок представляет собой тонкую металлическую фольгу, имеющую отверстия, через которые могут быть напылены материалы для получения выборочного осаждения. Такие маски обычно называются трафаретами, а фотографические маски — фотошаблонами.
Размеры изображения, даваемые как трафаретами, так и шаблонами, должны выдерживаться с очень малыми допусками, каких требует расположение изображений относительно друг друга.

С появлением печатных схем в годы последней войны фотомеханические процессы проникли в область электроники. Теперь они занимают прочное положение в качестве одного из основных методов при производстве транзисторов и составной части микроэлектронной технологии. Фотоэмульсии, которые в течение столетия применялись в графическом искусстве, дополнились фоторезистами, призванными удовлетворить нужды электронной промышленности, а изготовители объективов с высокой разрешающей способностью нашли новый рынок сбыта своей продукции.
Фоторезисты
Фоторезистом называется материал, который под действием света меняет свою растворимость [1]. При этом большинство резистов становится нерастворимым в стандартных растворителях, но в некоторых других растворителях их растворимость повышается.

Если в схеме кроме пассивных компонентов должны быть и активные, то для их присоединения к тонкопленочной схеме применяется метод, известный под названием «зеркальной» технологии (см. стр. 236). Для этого специальные бескорпусные транзисторы, выпускаемые различными фирмами, имеют металлические выступы-шарики на контактных площадках базы, эмиттера и коллектора. Такие транзисторы помещаются на поверхность подложки лицевой стороной, чтобы шарики расположились на соответствующих соединительныхучастках. При нагревании системы металлические шарики расплавляются и сплавляются с золотой пленкой на подложке.