Главная
Подложки для тонкопленочных схем
Аморфные пленки
Подложки для тонкопленочных схем
Аморфные пленки
Аморфные пленки
Аморфные пленки обычно имеют более высокую пробивную напряженность поля благодаря отсутствию кристаллографических дефектов. Анодированная окись алюминия имеет напряженность пробоя порядка 10б— 107 в/см при относительной диэлектрической проницаемости около 8 и коэффициенте потерь около 0,5%. Ано
Разложение на подложке может иметь место при пиролизе, когда подложка нагревается до температуры, поддерживающей реакцию, или дари фотолизе, когда реакция .вызывается освещением ультрафиолетовыми лучами или облучением электронным пучком. Ультрафиолетовый фотолиз оказался особенно полезен при получении тонких полимерных пленок из мономерного газа [3].
Хорошие пленки Si02 были получены при помощи пиролиза тетраэтаксиоилана :на поверхностях с температурой выше 600° С [4]; аналогичные пленки окиси алюминия получались при пиролизе хлорида алюминия. При пир о л из но м аки-сл ен ии об ычно тр е бу ет-ся присутствие водяных ларов. В случае пиролиза газообразного А12С13 (для получения А1203) используются электроды из карбонила никеля при температуре 500° С. Можно применять смесь двуокиси углерода и водорода с газообразным хлоридом, которая реагирует при 500° С и выше, давая водяные пары, необходимые для пиролизной реакции. Тем самым гарантируется осаждение только на подложке, имеющей высокую температуру.
Катодное распыление {5, 6]. При катодном распылении атомы выбиваются из материала источника благодаря энергичной бомбардировке ионами плазмы. Наиболее общий метод получения плазмы—тлеющий разряд, обычно в аргоне при напряжении 3—5 кв и давлении 10—100 мтор. Значение этого метода для производства диэлектриков состоит в возможности реактивного напыления. При таком методе распыленные атомы взаимодействуют с соответствующим газом, подмешанным к аргону, образуя ту диэлектрическую смесь, которая осаждается на подложку осаждение из паровой фазы [2]. При использовании этого широко распространенного метода летучее соединение материала, подлежащего осаждению, окисляется или разлагается на подложке. Обычно применяются соединения в форме галоидных паров и типичной реакцией на подложке являетсяМетодом реактивного напыления, в зависимости от условий, можно получать пленки с различными размерами зерен и соответственно структуры от аморфных до полимер металлических. На рис. 9 и 10 показаны полученные таким методом пленки окиси титана толщиной 60 и 500 А соответственно. Более тонкая пленка имеет структуру, состоящую из отдельных остронков, в то время как более толстая является непрерывной с мелкозернистой поликристалличеокой структурой и дает дифракционную картину, показанную на рис. 11. Этот метод использовался для получения широкого ассортимента материалов, включая окислы, нитриды и карбиды. Напыленные пленки обычно стабильны, но могут быть чувствительны к влаге.
Разложение на подложке может иметь место при пиролизе, когда подложка нагревается до температуры, поддерживающей реакцию, или дари фотолизе, когда реакция .вызывается освещением ультрафиолетовыми лучами или облучением электронным пучком. Ультрафиолетовый фотолиз оказался особенно полезен при получении тонких полимерных пленок из мономерного газа [3].
Хорошие пленки Si02 были получены при помощи пиролиза тетраэтаксиоилана :на поверхностях с температурой выше 600° С [4]; аналогичные пленки окиси алюминия получались при пиролизе хлорида алюминия. При пир о л из но м аки-сл ен ии об ычно тр е бу ет-ся присутствие водяных ларов. В случае пиролиза газообразного А12С13 (для получения А1203) используются электроды из карбонила никеля при температуре 500° С. Можно применять смесь двуокиси углерода и водорода с газообразным хлоридом, которая реагирует при 500° С и выше, давая водяные пары, необходимые для пиролизной реакции. Тем самым гарантируется осаждение только на подложке, имеющей высокую температуру.
Катодное распыление {5, 6]. При катодном распылении атомы выбиваются из материала источника благодаря энергичной бомбардировке ионами плазмы. Наиболее общий метод получения плазмы—тлеющий разряд, обычно в аргоне при напряжении 3—5 кв и давлении 10—100 мтор. Значение этого метода для производства диэлектриков состоит в возможности реактивного напыления. При таком методе распыленные атомы взаимодействуют с соответствующим газом, подмешанным к аргону, образуя ту диэлектрическую смесь, которая осаждается на подложку осаждение из паровой фазы [2]. При использовании этого широко распространенного метода летучее соединение материала, подлежащего осаждению, окисляется или разлагается на подложке. Обычно применяются соединения в форме галоидных паров и типичной реакцией на подложке являетсяМетодом реактивного напыления, в зависимости от условий, можно получать пленки с различными размерами зерен и соответственно структуры от аморфных до полимер металлических. На рис. 9 и 10 показаны полученные таким методом пленки окиси титана толщиной 60 и 500 А соответственно. Более тонкая пленка имеет структуру, состоящую из отдельных остронков, в то время как более толстая является непрерывной с мелкозернистой поликристалличеокой структурой и дает дифракционную картину, показанную на рис. 11. Этот метод использовался для получения широкого ассортимента материалов, включая окислы, нитриды и карбиды. Напыленные пленки обычно стабильны, но могут быть чувствительны к влаге.