Кроме того, источник испускает атомы газов и других примесных материалов, которые, конденсируясь на пленке, образуют в ней примеси. Содержание твердых примесей может быть исключено или, по крайней мерс, уменьшено усовершенствованием конструкции источника, в первую очередь использованием сублимационных источников или метода холодных тиглей. Гораздо труднее исключить газовые примеси. Их наличие ставит практический предел давлению, которое может поддерживаться мной аппаратурой во время процесса испарения. Например, одна миллионная часть газовых примесей в 1 грамме испаренного вещества приведет к повышению давления в сверхвысоковакуумной испарительной камере до Ю-7 тор. Рассмотрим теперь условия, в которых находится атом, когда он приближается к поверхности. Атом покидает испаритель с энергией кТ и, перемещаясь без столкновений с остаточными атомами газа, сохраняет эту энергию почти до встречи с подложкой. На очень близком расстоянии ох подложки на атом сначала действует сила притяжения, а затем (на очень малом отрезке) — сила отталкивания, как видно из рис. 1. Следовательно,
существует такое расстояние от подложки (гм), где атом будет иметь минимум потенциальной энергии (Ем). Кривая 1 на рис. 1 соответствует движению атома к тон точке, в которой он будет окружен четырьмя соседними атомами. Кривая 2 соответствует движению непосредственно к одному из атомов решетки. Кривая 3 характеризует наиболее распространенный случай загрязненной подложки, когда уменьшаются и энергия обмена и энергия отрыва атома от поверхности. Хотя атом может и не иметь энергии