Аморфные пленки обычно имеют более высокую пробивную напряженность поля благодаря отсутствию кристаллографических дефектов. Анодированная окись алюминия имеет напряженность пробоя порядка 10б— 107 в/см при относительной диэлектрической проницаемости около 8 и коэффициенте потерь около 0,5%. Ано
Разложение на подложке может иметь место при пиролизе, когда подложка нагревается до температуры, поддерживающей реакцию, или дари фотолизе, когда реакция .вызывается освещением ультрафиолетовыми лучами или облучением электронным пучком. Ультрафиолетовый фотолиз оказался особенно полезен при получении тонких полимерных пленок из мономерного газа [3].
Хорошие пленки Si02 были получены при помощи пиролиза тетраэтаксиоилана :на поверхностях с температурой выше 600° С [4]; аналогичные пленки окиси алюминия получались при пиролизе хлорида алюминия. При пир о л из но м аки-сл ен ии об ычно тр е бу ет-ся присутствие водяных ларов.

Все микросхемы содержат элементы, которые в какой-то степени рассеивают тепло. Отвод этого тепла или его влияние на соседние элементы сказывается на работе схемы и ее конструкции, а потому представляет важную проблему для любой ТПС. Передача тепла по подложке составляет только часть процесса теплоотвода; обычно оказывается, что в этом процессе важную роль играют проводники выводов. Недавно автор провел сравнение свойств четырех неорганических материалов, из которых можно изготавливать тонкие пластинки. Их важнейшие свойства перечислены в табл. 1.
На подложки различных размеров, выполненные из этих материалов, был напылен ряд резисторов простейшей формы, но тоже с различными размерами.

Разработчик схемы может дать свою "собственную первоначальную конструкцию (топологию) лодложш для то"нкапленочной гибридной схемы. При этом не только обеспечивается весьма желательный контроль разработчика за конструкцией, но и снижаются затраты времени на изготовление прототипов.
Удобно вычерчивать конструкцию с пятикратным увеличением.

Вакуумное напыление 1[7]. Вакуумное напыление является, по-видимому, наиболее широко распространенным методом для "приготовления тонких пленок всех типов. Описано большое количество испарителей и вакуумных систем, а иногда упоминаются специальные устройства для диэлектриков с высокой температурой плавления [8,9]. I
Чаще всего напыляемые диэлектрические пленки имеют тенденцию к кристаллизации. Однако некоторые материалы (например, SiO или ZnS) являются аморфными, хотя во время роста имеют отчетливо (выраженную островковую структуру. Эта особенность хорошо иллюстрируется на примере ZnS—распространенного диэлектрика с относительной диэлектрической проницаемостью 10 и с низкими потерями. На рис. 12 показан микрорельеф пленки ZnS, напыляемой на подложку из монокристалла LiF, при толщине пленки около 8 А, т. е. на ранней стадии процесса. Можно заметить, что зерна ZnS собираются вдоль слоев подложки.