Тонкие диэлектрические пленки известны технологам много лет, причем самым ранним их практическим применением была, вероятно, «просветленная» оптика. Появление транзисторов с их низкими рабочими напряжениями сделало возможным получение больших емкостей просто путем очень близкого расположения пластин друг к другу,, что немедленно вызвало интерес к тонкопленочным конденсаторам. Такие конденсаторы в настоящее время производятся несколькими способами и широко используются в микроэлектронике наряду с тонкопленочными резисторами.

Хотя не существует полной теории, объясняющей все экспериментальные данные по образованию центров кристаллизации и росту тонких пленок, но все же теоретический анализ выявил важнейшие параметры этих процессов. Такими параметрами являются:
а) энергия на поверхности между конденсатом и подложкой;
б) подвижность атомов конденсата на подложке;
в) скорость падающих атомов;
г) характер подложки и ее температура;
д) давление во время напыления. Теория образования центров кристаллизации [10] предполагает, что существует критический радиус исходных центров кристаллизации; при большем радиусе они растут (если продолжается напыление), а при меньшем— вновь испаряются. Этот радиус зависит, в частности, и от энергии на .поверхности раздела, возрастая с ростом энергии. Таким образом, в системе с высокой энергией на поверхности раздела, например системе металл — диэлектрик, будет получена крупнозернистая пленка.

Бели решено выполнять схему в тонкопленочыом варианте, то при ее проектировании следует придерживаться определенных критериев. Часто оказывается (Возможным «переработать» существующую конструкцию в тонкопленочныи вариант, но лучше проектировать схему специально для танкоиленочной технологии.