Параметры тонкопленючных пассивных компонентов, полученных различными изготовителями, разумеется, несколько различны. Описываемые ниже компоненты, хотя и предназначены для "определенней аппаратуры, но, пожалуй, типичны для большинства изготовителей. Необходимо иметь в виду, что приводимые цифры характерны для серийной продукции .
Резисторы. Параметры тонкопленочных резисторов приведены в табл. 1. Указанный диапазон величин наиболее удобен для изготовителей. Если необходимо, этот Диапазон может быть расширен в сторону меньших номиналов до 25 ом, Верхний предел определяется в основном экономическими соображениями, так как резисторы больших номиналов занимают значительную часть площади подложки.
Допуск ±6% обеспечивается простом методом ступенчатой подстройки. За счет повышения стоимости можно подстраивать сопротивления с весьма высокой точностью порядка ±0,1%.Конденсаторы. Параметры тонкопленочных конденсаторов приведены -в табл. 2. Как и я случае резисторов, указанный диапазон величин наиболее удобен тля изготовителей. Можно расширить диапазон вплоть до 10 пф за счет больших допусков. Верхний предел диктуется в основном экономическими соображениями, как ,и для резисторов. Если требуются более строгие допуски, можно использовать навесные конденсаторы, выполненные на отдельных пластинах.
Проводники. Типичное удельное сопротивление тонкопленочных проводников 0,5 ом на квадрат (ом/О).
Индуктивности. Тонкопленочные индуктивности в принципе )Могут быть изготовлены, но верхний предел в настоящее время ограничен величиной 2,5 мкгн. Для получения приемлемых значений Q обычно необходимо применять гальваническое покрытие, так как удельное сопротивление тонкопленочных проводников велико. Гальванизированные тонкопленочные проводники могугиметь добротность Q -порядка 60 на частоте 5,0 Мгц. Допуск на величину индуктивности может быть ±1%.
На тонкопленочной схеме могут быть установлены и навесные индуктивности," если это необходимо. Такими индуктивностями могут быть гальванизированные медные катушки IHа тонком «сердечнике из стекловолокна; "При этом исключается (необходимость гальванизации тонких пленок. Для получения больших величин индук-тивностей можно использовать тороидальные обмотки.
Полупроводниковые приборы. Почти все типы транзисторов, и ли диодов могут быть установлены на тонкопленочных подложках. В настоящее время для этой цели применяются различные типы микроминиатюрных корпусов как герметизированных, так и негерметизированных. Однако такие приборы достаточно дороги, поэтому в тех случаях, когда не требуется особой миниатюрности, часто используют транзисторы в корпусе ТО-18. По-видимому, в будущем наиболее широкое применение найдут активные приборы, выполненные по зеркальной или консольной технологии (см. стр. 236). Такие приборы обещают быть дешевыми при массовом производстве.
Разработку конкретной схемы удобно рассмотреть в трех основных разделах: 1) обоснование целесообразности тонкопленочной схемы; 2) проектирование схемы; 3) конструирование схемы.