• Главная
  • Физика приборов
  • Подложки для тонкопленочных схем
  • Технология интегральных схем
  • Аппаратура

Главное меню
  • Главная
  • Физика приборов
  • Подложки для тонкопленочных схем
  • Технология интегральных схем
  • Аппаратура
  • Интегральные схемы
Главная Технология интегральных схем Дубление фоторезистов

Дубление фоторезистов

Селективное травление различных металлов не является новым процессом [6], но применительно к полностью окисленным нихромовым резисторам и золотым электродам оно представляет известные трудности. Дубление фоторезистов следует проводить при повышенной температуре, чтобы сделать их стойкими к тем кислотам, которые способны травить нихром и золото. В настоящее время селективное травление этих металлов освоено и позволяет получить следующие преимущества:
1) вакуумное осаждение резистивного и проводящего металлов достигается при одной откачке, что исключает загрязнение, а также необходимость в точных масках и маскодержателях;
2) предотвращается окисление поверхностей раздела между двумя металлами. Следствием этого являются малая величина контактного потенциала, отсутствие выпрямляющего перехода и низкий уровень шума;
3) легко получается партия подложек с набором <ре-зистивных пленок и обеспечиваются необходимые соединения методом печатного монтажа вне вакуумных камер;
4) имеется возможность получать линии с минимальной шириной до 60 мк и хорошей повторяемостью. Края получаются более четкими и определяются только точностью фотолитографии, если не -считать опасности под-травливания, которое, однако, можно проконтролировать во время травления.
Процессы травления описываются в приложении, а стадии изготовления резистора показаны на рис. 8.
Чтобы обеспечить хороший -контакт с электродами, осаждение золотых проводников следует осуществлять с высокой скоростью, при которой сводятся к минимуму газовые включения. Если осаждается слой большой толщины (1— 3 мк), однородность -не существенна. Практически на множестве стеклянных подложек было получено поверхностное сопротивление 0,03—0,05 ол/|3 Источником служил керамический тигель размером приблизительно 1X1 см в форме колпачка. Этот вариант дает лучшие результаты по сравнению с более распространенной молибденовой лодочкой, которая может быть причиной сильного загрязнения подложки окисью молибдена. При расстоянии между источником и подложкой 5 см обеспечивается быстрое осаждение.
Нихром напыляется на подложки, расположенные на вращающемся столике, причем в этом случае расстояние между источником и подложкой равно 20 см. Контроль по контрольному квадрату с применением моста, работающего на 1 кгц, подкрепляется строгим соблюдением режимов откачки, нагревания, ионной очистки и временного режима. Поскольку контролировать количество остаточного газа в вакуумной камере трудно, можно вести откачку в течение времени, заведомо более длительного, чем необходимо для получения желаемого давления. Было найдено, что при использовании 30-см вакуумного колпака, одноступенчатого роторного насоса и ректификационного масляного диффузионного насоса с диаметром 10 см наилучшая воспроизводимость достигается тогда, когда система откачивается в течение целой ночи. Это гарантирует предельную откачку при каждой операции. Очистка стеклянных подложек и установка их в рабочее положение проводятся во второй половине дня. Напыление проводят на следующее утро; при этом остается достаточно времени для фотообработки и травления.
 


.