Методы разработки, конструирования и испытаний полупроводниковых ИС в значительной степени определяют процент выхода, а поэтому и их окончательную стоимость. Основные принципы, определяющие структуру ИС, обсуждались в других главах. Сложность полупроводниковой ИС, которую можно выпускать с приемлемым процентом выхода, зависит от числа и типа входящих в нее элементов. В настоящее время экономически оправданы схемы, содержащие до 70 различных компонентов (транзисторов, диодов, резисторов и конденсаторов) в одном функциональном блоке. На одной исходной кремниевой пластине (до разрезания) обычно изготавливается от 50 до 100 схем.
Выход годных полупроводниковых ИС является прямой функцией двух факторов: сложности и размера. Поскольку в течение технологического процесса могут возникать различные случайные дефекты, стремятся делать схемы с как можно меньшими размерами, но, конечно, с учетом заданных допусков. Производство большего количества схем на одной исходной пластине дает дополнительные экономические преимущества.