Главная
Технология интегральных схем
Контрольный квадрат
Технология интегральных схем
Контрольный квадрат
Контрольный квадрат
Контрольный квадрат используется не только для контроля осаждения, но и для проверки величины сопротивления до и после травления и после старения.
Во время технологического процесса регулярно проводится измерение температурного коэффициента, причем допустимы только положительные величины. При содержании хрома от 40 до 45% (которое определяется с помощью рентгеновского спектроскопа) температурный коэффициент лежит в пределах (10—50) 10~6 1/°С.
Весьма существенно, чтобы в тонкопленочных микросхемах пленки были жестко связаны с подложкой. В этом отношении резистивные пленки не представляют никаких проблем. Что касается золота, наносимого сразу вслед за нихромом без нарушения вакуума, то, с одной стороны, оно не может осаждаться из «паровой фазы» (иначе его было бы невозможно удалить селективным травлением), а с другой стороны, без глубокого внедрения или диффузии связь оказывается очень слабой.
Компромиссом служит контроль диффузии при строгом соблюдении необходимого времени и температуры. Резиетивная пленка осаждается на подложку, имеющую температуру 300° С. Заслонка прерывает осаждение, когда достигнута необходимая величина сопротивления на квадрат; затем выключается подогреватель и подложка остывает до 100° С. При этой температуре напыляют золото до тех пор, пока не получится достаточно малое сопротивление, что занимает примерно 30—40 мин
Для испытания адгезии прежде всего используют липкую ленту шириной 2,5 см, которую прижимают рукой и затем отдирают. Золотая пленка должна остаться после этого ненарушенной. Далее для испытания на адгезию можно припаять жесткую медную проволочку и потянуть ее в перпендикулярном направлении . Проверяется также возможность термокомпреосии к пленке. Нередко оказывается, что эта операция недопустима. Гальваническое покрытие в растворе цианистого золота должно обеспечивать толщину слоя 25 мк с хорошей адгезией.
Во время технологического процесса регулярно проводится измерение температурного коэффициента, причем допустимы только положительные величины. При содержании хрома от 40 до 45% (которое определяется с помощью рентгеновского спектроскопа) температурный коэффициент лежит в пределах (10—50) 10~6 1/°С.
Весьма существенно, чтобы в тонкопленочных микросхемах пленки были жестко связаны с подложкой. В этом отношении резистивные пленки не представляют никаких проблем. Что касается золота, наносимого сразу вслед за нихромом без нарушения вакуума, то, с одной стороны, оно не может осаждаться из «паровой фазы» (иначе его было бы невозможно удалить селективным травлением), а с другой стороны, без глубокого внедрения или диффузии связь оказывается очень слабой.
Компромиссом служит контроль диффузии при строгом соблюдении необходимого времени и температуры. Резиетивная пленка осаждается на подложку, имеющую температуру 300° С. Заслонка прерывает осаждение, когда достигнута необходимая величина сопротивления на квадрат; затем выключается подогреватель и подложка остывает до 100° С. При этой температуре напыляют золото до тех пор, пока не получится достаточно малое сопротивление, что занимает примерно 30—40 мин
Для испытания адгезии прежде всего используют липкую ленту шириной 2,5 см, которую прижимают рукой и затем отдирают. Золотая пленка должна остаться после этого ненарушенной. Далее для испытания на адгезию можно припаять жесткую медную проволочку и потянуть ее в перпендикулярном направлении . Проверяется также возможность термокомпреосии к пленке. Нередко оказывается, что эта операция недопустима. Гальваническое покрытие в растворе цианистого золота должно обеспечивать толщину слоя 25 мк с хорошей адгезией.