• Главная
  • Физика приборов
  • Подложки для тонкопленочных схем
  • Технология интегральных схем
  • Аппаратура

Главное меню
  • Главная
  • Физика приборов
  • Подложки для тонкопленочных схем
  • Технология интегральных схем
  • Аппаратура
  • Интегральные схемы
Главная Технология интегральных схем Механизм осаждения

Механизм осаждения

Хотя механизм осаждения еще полностью не изучен, известно, что желателен нагрев подложки. Если подложка нагревается до 300±30°С, получаются очень стабильные пленки. Холланд [4] предположил, что нагрев подложки способствует диффузии никеля в хром и при этом получается более однородный сплав. Отжиг при температуре 300° С после удаления из испарительной камеры позволяет получить стабильные пленки с минимальным необратимым изменением сопротивления во времени. Результаты оказываются более удовлетворительными, если отжиг проводить не в вакууме, а на воздухе. Это согласуется с тем фактом, что стабильность пленки обусловлена ее полным окислением. Пленки, напыленные на холодных подложках и без соответствующего цикла старения, имеют плохую адгезию к стеклу.
Чтобы обеспечить однородность осаждения, подлож-ко-держатель вращается со скоростью примерно 120 обIмин. Для контроля сопротивления пленки во вре-
мя ее осаждения используется контрольный квадрат. Выводы от вращающегося столика через контактные кольца и вакуумное уплотнение подходят к внешнему измерительному мосту.
На вращающемся столике «расположены подставки и держатели для подложек. Трафареты (если они используются) фиксируются при помощи штифтов, что обеспечивает воспроизводимость образцов. Контрольный квалpat осаждается на кусочек стекла, с каждого конца которого -имеется по одному электроду, .-и контакт обеспечивается пружинками, -и зо л м-ров ан н ы м:и от металла слюдяными прокладками.
На рис. 7 приведен схематический чертеж напылитель-ной камеры, дающий представление об относительном расположении вращающегося столика, источника и другой аппаратуры. Диффузионный насос работает вместе с форвакуумным роторным насосом, а специальный отключающий клапан изолирует колпак от насосной системы при замене источников, подложек и т. д. Подложки нагреваются простым излучающим нагревателем, а для измерения температуры используется термопара, находящаяся в непосредственном контакте со стеклом. Источник (в даном случае нихромовая проволока) в виде простой .спирали расположен на 20 см ниже подложек.
При использовании метода «свободных масок» практически невозможно получить сопротивления с малым допуском. Применение метода «контактных масок» дает лучшие результаты, но поскольку—окончательная величина сопротивления зависит" от точности расположения электродов, последние необходимо наносить либо с помощью тщательно разработанной фотолитографии, либо с помощью § прецизионных, т. е. неизбежно дорогих трафаретов. Проблема малых допусков упрощается, если осаждение как резистивных, так и проводящих слоев сопровождается последующим травлением их в несколько стадий в соответствующих растворах.
 


.