На протяжении всего технологического цикла изготовления тонких пленок, резистивных или емкостных, очень существенным фактором является чистота. Необходимо производить тщательную очистку стекла; некоторые методы очистки описаны в приложении. Очень важно соблюдать чистоту рабочих помещений или мест во избежание неудач, особенно при изготовлении конденсаторов: если в резисторной пленке инородное Тело может вызвать лишь небольшую зазубринку, то в конденсаторе оно может привести к короткому замыканию пластин.
Каждый процесс должен строиться таким образом, чтобы число операций, осуществляемых вручную, было сведено к минимуму, даже если операторы носят чистую одежду, включая перчатки и шапочки. Флюсы, применяемые для пайки, должны быть бескислотными, а их остатки необходимо удалять соответствующими растворителями.
Процесс селективного травления
II стадия. Подложка с золотой пленкой, нанесенной поверх нихрома (I стадия), покрывается фоточувствительным лаком. Затем на поверхность подложки накладывают негатив с изображением проводников и облучают ультрафиолетовым светом. Лак проявляется в парах трихлорэтилена и обмывается горячим (50° С) три-хлорэтиленом. Участки незащищенной лаком золотой пленки травятся в растворе следующего состава: 25 г йодистого калия, 5 г иода, 100 мл воды при температуре 50° С в течение приблизительно 30 сек. Оставшийся лак удаляется тампоном, смоченным в хлороформе.
После этого подложка промывается в очищающем растворе на основе деионизированной воды и в ультразвуковой ванне. Затем следует промывка в ванне с изо-пропиловым спиртом и, наконец, сушка в атмосфере изо-пропилового спирта.
III стадия. Подложка покрывается двумя слоями фоточувствительного лака, причем второй слой наносится, пока первый еще не потерял клейкости. Негатив резистора накладывают на покрытую подложку, экспонируют в ультрафиолетовых лучах и проявляют, как на II стадии. Затем лаковое покрытие подвергается отжигу при 200° С в течение 10 мин для обеспечения максимальной стойкости при травлении. Незащищенный нихром травится насыщенным раствором сернокислого церия в 35 мл HN03 с добавлением 65 мл воды. Время травления приблизительно 40—60 сек, в зависимости от толщины пленки. Оставшийся лак удаляют, как на II стадии,но с ббльшим трудом вследствие предшествовавшего отжига.