Для полупроводниковых ИС применяется несколько видов корпусов. Наиболее часто используются две конструкции: транзисторный многовыводный корпус и плоский корпус. Транзисторный корпус ТО-5 может быть сделан с 12 выводами; полупроводниковая ИС укрепляется либо непосредственно на ножке, как обычно п делают, либо на промежуточной керамической прокладке, на которой в случае необходимости могут быть расположены межсоединения для нескольких полупровод~ никовых ЙС. Плоские корпусы чаще всего бывают керамическими, стеклянными или металлическими; обычные размеры 1/4X1/8 дюйма (6X3 мм), 1/4x1/4 дюйма (6X6 мм) и далее увеличиваются с шагом 1/8 дюйма (3 мм). Толщина обычно равна 1,25 мм, и каждый корпус имеет по 5 или 7 плоских выводов на каждой из сторон. Плоский корпус герметизируется сварным швом или пайкой в соответствующей атмосфере. Обычно плоский корпус предпочитают корпусу ТО-5, хотя первый дороже и осложняет монтаж на печатных платах.
Номиналы компонентов
Диапазон номиналов и допусков на отдельные компоненты, полученные при помощи описанных процессов-, ограничен и лежит в определенных пределах. Кроме того, каждому компоненту свойственна паразитная емкость из-за наличия изолирующего р-п перехода .
Паразитная емкость. На рис. 3 показана типичная четырехслойная структура. Каждый переход имеет свою.
Емкость С\ (емкость «кармана») определяет величину паразитной связи между компонентами, которую необходимо по возможности уменьшать при расчете высокочастотных ИС. Одним из современных способов является использование тонкого слоя диэлектрика (обычно Si02) в качестве изоляции вместо р-п перехода, что уменьшает емкость С\ в 5 раз. Этот метод известен под названием ЭПИК-процесса (начальные буквы английского сокращения для эпитаксиальной полупроводниковой интегральной схемы).
Резисторы. Ниже приведены некоторые важнейшие характеристики диффузионных резисторов в полупроводниковых ИС:
— поверхностное сопротивление 100—400 ом/П;
— сопротивление 100 ом — 50 ком;
— производственный допуск ±5—±20%; температурный коэффициент сопротивления (50—
5000).10-6/°С.
Такие резисторы могут быть изготовлены только с довольно широкими допусками и большим температурным коэффициентом. Лучше всего их применять в тех схемах, где важно отношение сопротивлений, а не их абсолютные значения.
Конденсаторы. Для диффузионных конденсаторов, использующих р-п переходы в качестве емкости, характерны следующие параметры:
— напряжение пробоя до 70 в;
— емкость до 2400 пф/мм2;
— допуск от 15 до 50%;
Температурный коэффициент около 200 10~6/° С.
Как следствие, разработчик схемы Должен учитывав следующие емкости, свойственные данной типичной структуре (смещение равно нулю):Емкос1ъ таких конденсаторов зависит ot напряжения, его полярности и является обратной функцией напряжения пробоя.
Транзисторы. Обычно в полупроводниковых ИС используются маломощные переключающие, высокочастотные и низкочастотные типы транзисторов. Были получены высокочастотные транзисторы с частотой отсечки до 700 Мгц и выше.
Диоды.