Как в случае РЕДТЛ, так и в случае ДДТЛ обратный базовый ток, необходимый для запирания, обеспечивается накопленным зарядом в емкости С (для РЕДТЛ) или в диоде Др (для ДДТЛ). При этом в обоих случаях образуется низкоомная цепь, однако при расчете и реализации ее элементов необходимо гарантировать разряд базы до разряда емкости С или диода Др. Эта проблема привела некоторых изготовителей к отказу от совмещения диодов и триода на одной пластине. Обратный базовый ток обеспечивается по-прежнему присоединением /?б к источнику отрицательного напряжения. Когда на всех входах имеется достаточно отрицательный потенциал по отношению к ток /т течет через /?К2> а выходные уровни тем самым изменяются на обратные.
Такой логический элемент характерен рядом положительных качеств, а именно:
— наличием как прямых, так и инверсных логических выходов при минимальной дополнительной стоимости. Это качество отражает правильную тенденцию, хотя конкретная логическая структура не оптимальна;
Сдвоенная ДТЛ. Многие разработчики систем предпочитают сдвоенную логическую структуру типа И— ИЛИ—НЕ. Такие структуры осуществимы на основе ДТЛ; два возможных варианта представлены на рис. 5,а и б. Схема на рис. 5,а требует лишь малых дополнительных затрат. Основной трудностью в такой схеме является требование, чтобы диоды ячейки ИЛИ накапливали достаточный заряд для запирания транзистора, но не влияли на работу второй схемы И при высокой скорости переключения.