• Главная
  • Физика приборов
  • Подложки для тонкопленочных схем
  • Технология интегральных схем
  • Аппаратура

Главное меню
  • Главная
  • Физика приборов
  • Подложки для тонкопленочных схем
  • Технология интегральных схем
  • Аппаратура
  • Интегральные схемы
Главная Технология интегральных схем Сравнение помехоустойчивости в ТЛНС, РТЛ и РЕТЛ

Сравнение помехоустойчивости в ТЛНС, РТЛ и РЕТЛ

В случае отпирающей помехи схемы РЕТЛ и ТЛНС имеют почти одинаковую помехоустойчивость и притом меньшую, чем РТЛ. В случае запирающей помехи иДиодно-транзисторная логика с резистивно-емкостны-ми связями (РЕДТЛ). Вид этой схемы (весьма популярной в случае дискретных компонентов) показан на рис. 3,а. Использование резистора R для смещения уровня обеспечивает известную свободу при разработке схемы; однако для задания нижнего уровня потенциала базы необходимым элементом оказывается резистор RQ,
при условии одинаковых избыточных токов эти выводы остаются в силе. В присутствии низкочастотных помех РЕТЛ может оказаться оптимальным вариантом вследствие того, что цепь RQC является фильтрсм верхних частот.Напряжение Д
 


.