• Главная
  • Физика приборов
  • Подложки для тонкопленочных схем
  • Технология интегральных схем
  • Аппаратура

Главное меню
  • Главная
  • Физика приборов
  • Подложки для тонкопленочных схем
  • Технология интегральных схем
  • Аппаратура
  • Интегральные схемы
Главная Технология интегральных схем

Конструирование полупроводниковых интегральных схем

Методы разработки, конструирования и испытаний полупроводниковых ИС в значительной степени определяют процент выхода, а поэтому и их окончательную стоимость. Основные принципы, определяющие структуру ИС, обсуждались в других главах.

Подробнее...

 

РЕДТЛ

Как в случае РЕДТЛ, так и в случае ДДТЛ обратный базовый ток, необходимый для запирания, обеспечивается накопленным зарядом в емкости С (для РЕДТЛ) или в диоде Др (для ДДТЛ). При этом в обоих случаях образуется низкоомная цепь, однако при расчете и реализации ее элементов необходимо гарантировать разряд базы до разряда емкости С или диода Др. Эта проблема привела некоторых изготовителей к отказу от совмещения диодов и триода на одной пластине. Обратный базовый ток обеспечивается по-прежнему присоединением /?б к источнику отрицательного напряжения.

Подробнее...

 

Диоды и конденсаторы

Пусть, например, имеется ячейка с сопротивлением насыщения 60 ом, сопротивлением между коллекторными контактами 120 ом и емкостью коллекторного перехода 1,5 пф. На рис. 14 представлена схема простого вентиля на 3 входа, на рис. 15 показана матрица из 24 элементов с соответствующими соединениями, обеспечивающими эту схему. Даже если каждая ячейка вместе с ее изоляцией будет занимать площадь 125X125 мк, то размеры всей схемы будут всего 0,75X0,5 мм. Однако это — только пример, и мы вполне можем рассчитывать на то, что будем иметь дело с гораздо большим числом более мелких ячеек (скажем, размером 50 мк или меньше, в зависимости от усовершенствования техУнологии). Рис. 15 иллюстрирует только принцип, однако, следуя этому принципу, можно разрабатывать более сложные схемы, включающие диоды и конденсаторы. Основным принципом является то, что для одного «эквивалентного компонента» используется всегда несколько ячеек.
Выбор конфигурации зависит в основном от той функции, которую должно выполнять изготавливаемое устройство, однако следует учитывать и возможность избыточности.

Подробнее...

 

Толщина медной фольги

Обычно толщина медной фольги составляет около 75 мк и травление, если оно ведется только с одной стороны, обязательно приводит к заметному скосу на краях. Если это несущественно, то процесс оказывается достаточно простым. Медная фольга очищается, покрывается эмульсией и экспонируется, как было описано выше, но дрежде чем проводить процесс травления в FeCl3 (удельный вес 1,32), на ту сторону, где не будет печати наносится нитрокраска. Последняя призвана скреплять элементы трафаретной матрицы (одиночные трафареты делаются редко, если столь же просто получить сразу несколько экземпляров), а также предохранять обратную сторону фольги от действия кислоты. Время травления ripM комнатной температуре 7—10 мин\ после проМьШКМ трафарет готов к применению.

Подробнее...

 

Структура ТТЛ

Структура ТТЛ (транзисторно-транзисторная логика), которая выполняет аналогичную функцию, показана рис. 3. Эта структура лучше совместима с принципами построения полупроводниковых ИС. Во-первых, в ней используются преимущественно актиМыё компоненты. Во-вторых, в ней применен прибор, специально разработанный для выполнения заданной функции (многоэмиттерный транзистор). Это было бы непозволительной роскошью в дискретном варианте, но не на много удорожает разработку и оборудование в случае полупроводниковой ИС. Кроме того, если площадь используется более эффективно, что имеет место в данном
случае, то окончательная цена снижается. Топология схемы видна на рис. 6, где показана часть полностью обработанной пластины.

Подробнее...

 
Еще статьи...
  • Окисление кремния
  • Результаты испытаний
  • Методы монтажа и соединений
  • Разработка полупроводниковых интегральных схем

<< Первая < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 Следующая > Последняя >>

Страница 4 из 8


.