Хотя механизм осаждения еще полностью не изучен, известно, что желателен нагрев подложки. Если подложка нагревается до 300±30°С, получаются очень стабильные пленки.

На рис. 2 показано поперечное сечение типичной ИС, полученной описанными выше способами. Для простоты рассматривается ИС неэпитаксиального типа. Отдельные элементы, электрически изолированные с помощью р-п переходов, должны иметь соответствующие низкоом-
ные соединения друг с другом. Все выводы от элементов расположены на верхней части пластины и соединяются с помощью металлических пленок, напыленных через трафареты, по фоторезистивной технологии. В качестве металла почти всегда используется .алюминий, потому что он имеет /хорошую адгезию с окисью кремния, а также образует омический контакт как с ЙЙ так п с р-областяМи в кремнии.

Для полупроводниковых ИС применяется несколько видов корпусов. Наиболее часто используются две конструкции: транзисторный многовыводный корпус и плоский корпус. Транзисторный корпус ТО-5 может быть сделан с 12 выводами; полупроводниковая ИС укрепляется либо непосредственно на ножке, как обычно п делают, либо на промежуточной керамической прокладке, на которой в случае необходимости могут быть расположены межсоединения для нескольких полупровод~ никовых ЙС. Плоские корпусы чаще всего бывают керамическими, стеклянными или металлическими; обычные размеры 1/4X1/8 дюйма (6X3 мм), 1/4x1/4 дюйма (6X6 мм) и далее увеличиваются с шагом 1/8 дюйма (3 мм). Толщина обычно равна 1,25 мм, и каждый корпус имеет по 5 или 7 плоских выводов на каждой из сторон.

Резисторы. В электронике применяются тонкие пленки толщиной от 50 А до нескольких микрон.