Диффузионные процессы лежат в основе превращения кремниевой пластины в совокупность полупроводниковых интегральных схем. Фосфор и бор — наиболее используемые примеси для образования соответственно участков п и р-типа. Сущность диффузии состоит в нагревании кремния до температуры, при которой коэффициент диффузии примесей достаточно велик, и в пропускании паров примеси, смешанных с несущим газом, над поверхностью кремния. На практике температура лежит в диапазоне 1 100—1200° С и процесс длится несколько часов.

Распространенными источниками фосфора и бора являются твердые тела (окислы), жидкости и пары. Часто выращивают слой окисла, обогащая его примесями. Если после этого источник примеси удаляется, то окисел играет роль этого источника во время остальных циклов диффузии.