На протяжении всего технологического цикла изготовления тонких пленок, резистивных или емкостных, очень существенным фактором является чистота. Необходимо производить тщательную очистку стекла; некоторые методы очистки описаны в приложении.

В настоящее время хорошо известно, что полупроводниковая интегральная схема (ИС), как указывает само название, представляет собой совокупность компонентов, сформированных одновременно на пластинке кремния с помощью типовых процессов, лежащих в основе изготовления транзисторов. Компоненты соединяются друг с другом или внутри пластинки или при помощи металлических проводников, нанесенных на ее поверхность. Целью данной главы является описание технологического оборудования для изготовления полупроводниковых ИС. Такое описание не может быть исчерпывающим, однако следует сразу заметить, что в основном используется та же технология, что и при получении обычных планарных транзисторов. Поэтому фирмы, специализировавшиеся на изготовлении транзисторов в обычных корпусах, после небольших изменений в технологическом процессе выпускают и полупроводниковые ИС.
Полупроводниковые ИС можно разделить на два основных класса: моно- и многомодульные . Часто целесообразность использования многомодульной конструкции обусловливается чисто экономическими, а не функциональными требованиями (например, развязкой по высокой частоте).

Определенность величины логического перепада обеспечивается постоянством соотношения сопротивлений R и RK (с точностью ±5%), но осложняется температурной зависимостью напряжения на резисторе R и изменениями потенциала эмиттеров в зависимости от формы входного сигнала. Эту последнюю зависимость можно скомпенсировать, выбирая RK\Данная система допускает сочетание с длинными линиями; один из вариантов показан на рис. 7,6. Такая структура полезна в цепях задержки, для уменьшения ударного возбуждения в длинных межсоединениях, а также в линиях, соединяющих далеко расположенные узлы аппаратуры.