Структура ТТЛ (транзисторно-транзисторная логика), которая выполняет аналогичную функцию, показана рис. 3. Эта структура лучше совместима с принципами построения полупроводниковых ИС. Во-первых, в ней используются преимущественно актиМыё компоненты. Во-вторых, в ней применен прибор, специально разработанный для выполнения заданной функции (многоэмиттерный транзистор). Это было бы непозволительной роскошью в дискретном варианте, но не на много удорожает разработку и оборудование в случае полупроводниковой ИС. Кроме того, если площадь используется более эффективно, что имеет место в данном
случае, то окончательная цена снижается. Топология схемы видна на рис. 6, где показана часть полностью обработанной пластины. В этом случае площадь занята преимущественно активными компонентами.
На рис. 4 иллюстрируется обратное положение вещей, когда схема (например, ТРЛ — транзисторно-рези-сторная логика), имеющая преимущественно пассивные компоненты, воспроизведена в интегральной форме. Как видим, это тонкопленочная схема, в которой используются нихромовые резисторы, нанесенные на стеклянную подложку, и добавлен активный компонент, который виден в верхнем левом углу подложки. Навесной транзисторный модуль показан в увеличенном масштабе на рис. 5. Транзистор соединяется непосредственно с проводящими полосками из сплава золота с хромом, напыленными на стеклянную подложку/Треугольные выступы, которые имеются на обратной стороне транзисторного модуля, помогают правильно ориентировать последний относительно контактных площадок. Поскольку для нанесения пассивных компонентов гораздо дешевле применять стеклянную подложку, чем кремниевую, то приборы с преобладанием пассивных компонентов выгоднее изготавливать в виде гибридных тонкопленочных схем (рис. 4), а не монолитных полупроводниковых. Поскольку в гибридной схеме сочетаются две технологии, то не обязательно, чтобы навесные модули содержали только один активный компонент. Действительно, можно построить схему таким образом, чтобы активные функции группировались на одном или нескольких модулях, а стеклянная подложка использовалась для выполнения пассивных функций и связей между модулями.
Кроме того, комбинация полупроводниковой и пленочной технологии целесообразна тогда, когда выбор материала определяется улучшением характеристик пассивных компонентов, а не экономическими соображениями. В этом случае, при условии преобладающего количества активных компонентов, имеет смысл осаждать пассивные компоненты на кремниевую подложку.
Таким образом, очевидно, что для изготовления ПС нельзя однозначно определить универсальную оптимальную технологию и выбор материала. Тем не менее, известные технологические методы можно комбинировать, и это позволяет получать схемы с характеристиками] близкими к характеристикам схем, выполненных на обычных компонентах. Главные ограничения касаются функций, связанных со значительным накоплением энергии,
поскольку для реализации таких функций необходимы большие конденсаторы, работающие при повышенных напряжениях, или большие индуктивности с малым сопротивлением. Эти компоненты трудно реализовать в интегральной форме.